Latencia CAS 11
Placa de plomo Oro
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8 GB
Componente para Computadora portátil
Voltaje de memoria 1.5 V
Configuración de módulos 1024M x 64
Tiempo activo en fila 35 ns
Buffered memory type Unregistered (unbuffered)
Tipo de memoria interna DDR3
Memoria interna 8 GB
Clasificación de memoria 2
Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz
ECC No
Perfil SPD Si
Tiempo de actualización de ciclo de fila 260 ns

OTRAS CARACTERÍSTICAS
Factor de forma 204-pin SO-DIMM